購入 SMUN5312DW1T1GとBYCHPS
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大): | 250mV @ 300µA, 10mA |
トランジスタ型式: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
シリーズ: | - |
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム): | 22k |
抵抗 - ベース(R1)(オーム): | 22k |
電力 - 最大: | 187mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
製造元の部品番号: | SMUN5312DW1T1G |
周波数 - トランジション: | - |
拡張された説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
説明: | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 60 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
Email: | sales@bychips.com |