NTD70N03RT4G - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NTD70N03RT4G

NTD70N03RT4G

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	DPAK
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	8 mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大）:	1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:	NTD70N03RT4GOS NTD70N03RT4GOS-ND NTD70N03RT4GOSTR
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	NTD70N03RT4G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1333pF @ 20V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	13.2nC @ 5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 25V 10A (Ta), 32A (Tc) 1.36W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount DPAK
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	25V
説明:	MOSFET N-CH 25V 10A DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	10A (Ta), 32A (Tc)
Email:	[email protected]