NSV60600MZ4T1G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル NSV60600MZ4T1G

NSV60600MZ4T1G

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	60V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	350mV @ 600mA, 6A
トランジスタ型式:	PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-223-3
シリーズ:	-
電力 - 最大:	800mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-261-4, TO-261AA
他の名前:	NSV60600MZ4T1G-ND
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	28 Weeks
製造元の部品番号:	NSV60600MZ4T1G
周波数 - トランジション:	100MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223-3
説明:	TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	120 @ 1A, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	6A
Email:	[email protected]