NP36P06KDG-E1-AY
NP36P06KDG-E1-AY
部品型番:
NP36P06KDG-E1-AY
メーカー:
Renesas Electronics America
説明:
MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13582 Pieces
データシート:
NP36P06KDG-E1-AY.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 1mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-263
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):29.5 mOhm @ 18A, 10V
電力消費(最大):1.8W (Ta), 56W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:NP36P06KDG-E1-AY-ND
NP36P06KDG-E1-AYTR
運転温度:175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:NP36P06KDG-E1-AY
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:3100pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:54nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 60V 36A (Tc) 1.8W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-263
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
説明:MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):36A (Tc)
Email:[email protected]

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