購入 MMUN2217LT1GとBYCHPS
保証付きで購入する
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
---|---|
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 250mV @ 1mA, 10mA |
トランジスタ型式: | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-23-3 (TO-236) |
シリーズ: | - |
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム): | 10k |
抵抗 - ベース(R1)(オーム): | 4.7k |
電力 - 最大: | 246mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
製造元の部品番号: | MMUN2217LT1G |
周波数 - トランジション: | - |
拡張された説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
説明: | TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 35 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
Email: | sales@bychips.com |