購入 IXFN36N110PとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 6.5V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-227B |
シリーズ: | Polar™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 240 mOhm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大): | 1000W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | SOT-227-4, miniBLOC |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IXFN36N110P |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 23000pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 350nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 1100V (1.1kV) 36A 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 1100V (1.1kV) |
説明: | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 36A |
Email: | sales@bychips.com |