IXFB38N100Q2
IXFB38N100Q2
部品型番:
IXFB38N100Q2
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13690 Pieces
データシート:
IXFB38N100Q2.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5.5V @ 8mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PLUS264™
シリーズ:HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):250 mOhm @ 19A, 10V
電力消費(最大):890W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-264-3, TO-264AA
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:IXFB38N100Q2
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:13500pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:250nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1000V (1kV) 38A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS264™
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1000V (1kV)
説明:MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):38A (Tc)
Email:[email protected]

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