購入 IRLU2905ZPBFとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±16V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | IPAK (TO-251) |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 13.5 mOhm @ 36A, 10V |
電力消費(最大): | 110W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
他の名前: | *IRLU2905ZPBF SP001558616 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
製造元の部品番号: | IRLU2905ZPBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1570pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 35nC @ 5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 55V 42A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 55V |
説明: | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 42A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |