IRL2910STRLPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRL2910STRLPBF

IRL2910STRLPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 250µA
Vgs（最大）:	±16V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D2PAK
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	26 mOhm @ 29A, 10V
電力消費（最大）:	3.8W (Ta), 200W (Tc)
パッケージング:	Original-Reel®
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:	IRL2910STRLPBFDKR
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IRL2910STRLPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	3700pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	140nC @ 5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 100V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	100V
説明:	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	55A (Tc)
Email:	[email protected]