購入 IRFD9110PBFとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.2 Ohm @ 420mA, 10V |
電力消費(最大): | 1.3W (Ta) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
他の名前: | *IRFD9110PBF |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
製造元の部品番号: | IRFD9110PBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 200pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 8.7nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 100V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 700mA (Ta) |
Email: | sales@bychips.com |