購入 IRF6706S2TR1PBFとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.35V @ 25µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DIRECTFET S1 |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 3.8 mOhm @ 17A, 10V |
電力消費(最大): | 1.8W (Ta), 26W (Tc) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | DirectFET™ Isometric S1 |
他の名前: | IRF6706S2TR1PBFCT |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IRF6706S2TR1PBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1810pF @ 13V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 25V 17A (Ta), 63A (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 25V |
説明: | MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 17A (Ta), 63A (Tc) |
Email: | [email protected] |