購入 IRF640STRRとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | D2PAK |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 180 mOhm @ 11A, 10V |
電力消費(最大): | 3.1W (Ta), 130W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IRF640STRR |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1300pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 70nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 200V |
説明: | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 18A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |