購入 IPS110N12N3GBKMA1とBYCHPS
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IPS110N12N3GBKMA1
- 部品型番:
- IPS110N12N3GBKMA1
- 説明:
- MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 18930 Pieces
- データシート:
- IPS110N12N3GBKMA1.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 IPS110N12N3GBKMA1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IPS110N12N3GBKMA1をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO251-3 |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 11 mOhm @ 75A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 136W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 他の名前: | IPS110N12N3 G IPS110N12N3 G-ND IPS110N12N3GBKMA1TR-ND SP000674456 |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | IPS110N12N3GBKMA1 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 4310pF @ 60V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 65nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 120V |
| 説明: | MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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