購入 IPL65R660E6AUMA1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.5V @ 200µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | Thin-Pak (8x8) |
シリーズ: | CoolMOS™ E6 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
電力消費(最大): | 63W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 4-PowerTSFN |
他の名前: | SP000895212 |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
製造元の部品番号: | IPL65R660E6AUMA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 440pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 23nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 650V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount Thin-Pak (8x8) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 650V |
説明: | MOSFET N-CH 4VSON |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 7A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |