購入 IPI020N06NAKSA1とBYCHPS
保証付きで購入する
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.8V @ 143µA |
---|---|
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO262-3 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 2 mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大): | 3W (Ta), 214W (Tc) |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前: | IPI020N06N IPI020N06N-ND SP000962132 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 14 Weeks |
製造元の部品番号: | IPI020N06NAKSA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 7800pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 106nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 60V 29A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
説明: | MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 29A (Ta), 120A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |