購入 IPD80R1K0CEBTMA1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.9V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-252-3 |
シリーズ: | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 950 mOhm @ 3.6A, 10V |
電力消費(最大): | 83W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | IPD80R1K0CEBTMA1TR SP001100606 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IPD80R1K0CEBTMA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 785pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 31nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 800V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 800V |
説明: | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 5.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |