購入 IPB042N10N3 GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.5V @ 150µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO263-3 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大): | 214W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前: | IPB042N10N3 G-ND IPB042N10N3G IPB042N10N3GATMA1 SP000446880 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
製造元の部品番号: | IPB042N10N3 G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 8410pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 117nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 100A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |