IPB039N10N3GE8187ATMA1
IPB039N10N3GE8187ATMA1
部品型番:
IPB039N10N3GE8187ATMA1
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16056 Pieces
データシート:
IPB039N10N3GE8187ATMA1.pdf

簡潔な

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 160µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TO263-7
シリーズ:OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):3.9 mOhm @ 100A, 10V
電力消費(最大):214W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
他の名前:IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187-ND
IPB039N10N3 G E8187TR-ND
SP000939340
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:IPB039N10N3GE8187ATMA1
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:8410pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:117nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):160A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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