FQI3N90TU
FQI3N90TU
部品型番:
FQI3N90TU
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17348 Pieces
データシート:
FQI3N90TU.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I2PAK
シリーズ:QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):4.25 Ohm @ 1.8A, 10V
電力消費(最大):3.13W (Ta), 130W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:FQI3N90TU
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:910pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:26nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 900V 3.6A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Through Hole I2PAK
ソース電圧(VDSS)にドレイン:900V
説明:MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):3.6A (Tc)
Email:[email protected]

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