購入 DRA3144V0LとBYCHPS
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大): | 250mV @ 500µA, 10mA |
トランジスタ型式: | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | SSSMini3-F2-B |
シリーズ: | - |
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム): | 10k |
抵抗 - ベース(R1)(オーム): | 47k |
電力 - 最大: | 100mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-723 |
他の名前: | DRA3144V0L-ND DRA3144V0LTR |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
製造元の部品番号: | DRA3144V0L |
周波数 - トランジション: | - |
拡張された説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 100mW Surface Mount SSSMini3-F2-B |
説明: | TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 30 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |