DMG4800LK3-13
DMG4800LK3-13
部品型番:
DMG4800LK3-13
メーカー:
Diodes Incorporated
説明:
MOSFET N-CH 30V 10A TO252
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14229 Pieces
データシート:
DMG4800LK3-13.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):1.6V @ 250µA
Vgs(最大):±25V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-252-3
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):17 mOhm @ 9A, 10V
電力消費(最大):1.71W (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:DMG4800LK3-13DITR
DMG4800LK313
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:DMG4800LK3-13
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:798pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:8.7nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 30V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET N-CH 30V 10A TO252
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):10A (Ta)
Email:sales@bychips.com

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