BSZ0901NSI - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル BSZ0901NSI

BSZ0901NSI

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.2V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TSDSON-8-FL
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	2.1 mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大）:	2.1W (Ta), 69W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-PowerTDFN
他の名前:	BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSITR SP000853566
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	BSZ0901NSI
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2600pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	41nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	Schottky Diode (Body)
拡張された説明:	N-Channel 30V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	25A (Ta), 40A (Tc)
Email:	[email protected]